德厚水库右岸帷幕灌浆试验与研究

分析德厚水库库区水文地质、工程地质条件,对水库右岸进行帷幕灌浆现场试验,解决吃浆量大、冒浆严重问题,获取该区帷幕灌浆施工需要的技术参数。灌浆试验主要采用孔口封闭、孔内循环、自上而下和分段卡塞相结合的综合灌浆法。通过灌浆试验,分析灌浆时存在的问题并对灌浆结果进行分析,为施工提供参考。试验结果表明该试验能有效减小岩层透水率,并以此提出该库区帷幕灌浆施工中的技术参数,为后续的灌浆工程积累经验,供同类帷幕灌浆工程借鉴。     

LID技术在市政道路中的应用研究

近些年国家对水生态、水环境的保护日益重视,以LID设计理念指导市政道路设计成为建设海绵城市的重要实践。详细介绍了下沉式生物滞留带、植草沟、路缘石等不同LID设施的特点以及适用性,并结合实际工程总结归纳了市政道路工程设计中LID技术的应用。     

同步发电机参数辨识新方法

为提高同步发电机实用参数的辨识精度,推进电力系统日益精细化仿真建模工作。论文首先提出了一种针对发电机参数辨识的量测数据标幺化新方法,该方法避免了在标幺化过程中采用不准确的发电机参数带来误差,并且该标幺化体系与传统标幺体系完全一致,所辨识得到的参数的标幺值位于传统习惯的范围;在此基础上,提出了发电机参数辨识模型及算法。算例表明本文方法具有较高的辨识精度。     

房建施工中防渗漏施工技术的运用探析

房屋渗漏会影响房屋的正常使用,也会使房屋减少使用寿命。因此,为了建造高质量的房屋,给用户高质量的居住体验,需要在房屋的施工中严加管理渗漏施工。以恒华·财富天下二期为例,通过对止水钢板、防水卷材施工、后浇带和防水层等防漏施工技术的具体应用,探讨怎样在房屋建设中提高房屋建筑的防渗漏工作。     

考虑分界面的黏性泥石流下游演进数学模型研究

基于分界面理论,以泥石流屈服深度对应的面为分界面,将黏性泥石流分为理想流体和Bingham流体,建立了模拟黏性泥石流演进过程的数学模型和相应计算方法。该模型基于泥石流的运动特征,注重不同层间泥石流流速的差异,并可合理反映泥石流运动速度对其演进形态的影响机制;同时,全面考虑了黏性泥石流在演进过程中所呈现的"舌状体"和"龙头"由上向下翻落现象,因此可更准确描述黏性泥石流在演进过程中的运动状态。采用3组模型试验结果对建立的数学模型与计算方法进行了验证,结果表明:模型计算得出的泥石流泛滥范围和最大堆积厚度与模型试验结果误差在±5%以内,验证了模型的合理性。     

鼓岭超长公路隧道快速施工技术

针对长大隧道施工过程中存在的不足之处,以鼓岭隧道为研究对象,探讨爆破技术、通风技术、排水技术以及喷射技术这4项新技术在隧道施工过程中的应用,介绍新技术的具体施工工法,对新技术在提高施工工效方面的作用进行实测,实测结果显示,新技术在提高施工工效、改善施工环境、降低劳动强度等方面具有明显的作用。     

大理石大板锯切主要操作工艺

<正>大理石大板锯切过程主要涉及,设备、工具、参数、操作工艺、卸板等。本文从知识与应用的角度归纳了这些技术。供行业参考。1大理石大板锯切作业1.1大板锯切作业工序的主要技术要求1.1.1切板平整度高:最终切割的大理石毛板板面平整度要控制在0.5mm/m以内。1.1.2出材率高:大理石的荒料有按t和按立方米计价两种方式。因此,出材率也可以相应量化为每t或者每立方米出产的平方米数。材质不同、切割的厚度不     

基于正交试验的LED散热器冷锻成形工艺参数优化

利用FORGE-3D有限元模拟软件对LED散热器的冷锻成形过程进行模拟与分析,得到了1050铝合金零件在冷锻成形过程中的成形载荷与模具磨损变化规律。基于数值模拟和正交试验法,分析了摩擦因数、桥口圆角半径、挤压速度和锻件飞边厚度对成形载荷和模具磨损的影响规律。结果表明:4组因素中,飞边厚度对成形载荷的影响最大,挤压速度对模具磨损的影响最大。综合考虑4组因素的模拟结果确定了最优方案,即摩擦因数为0. 06、挤压速度为5 mm·s~(-1)、飞边厚度为0. 6 mm、桥口圆角半径为1. 5 mm。该研究为大功率LED散热器零件的实际生产及其相似零件的生产提供了参考。     

非正规经济下的城市空间发展:全球趋势与地方规划应对

作为本期专辑的序论,本文分为上下两个部分。上篇立足于全球视野,首先概述了城市经济体系中持续快速增长的非正规经济和就业的规模与重要性;在此基础上分析了国家与地区差异及其在城市空间上的反映,尤其是中国的特殊性;进而从理论基础与政策实践等方面分析了传统城市规划应对城市非正规经济发展的局限与问题。下篇则具体介绍了本专辑收录的6篇文章,其中3篇来自外国学者的文章是关于国际上对非正规性研究的最新进展,分别对以美国为代表的发达国家的非正规城市发展与管治、发展中国家的非正规住房改善,以及城市规划之于非正规经济与空间管治的误区与局限等问题进行了深入探讨;另外3篇来自中国学者的文章则分别从非正规就业群体的职住空间失配、非正规住房与社区营造、公共空间的非正规使用与管治等三个方面探讨了中国大城市非正规经济下的空间规划所面临的问题与挑战。     

催化剂浓度对6H-SiC晶片Si面化学机械抛光性能的影响

目的提高6H-SiC晶片Si面化学机械抛光(CMP)的材料去除率(MRR),改善其抛光表面质量。方法使用含有不同Cu~(2+)浓度和甘氨酸形成的配合物作为催化剂、H2O2作为氧化剂的抛光液,对6H-SiC晶片Si面进行CMP。使用精密天平称量SiC晶片抛光前后的质量,计算其MRR。使用AFM观测Si C晶圆表面,测其表面粗糙度(Ra)。使用Zeta电位仪测量在不同Cu~(2+)浓度下纳米氧化硅磨粒的Zeta电势和粒径分布。使用摩擦磨损试验机测量不同Cu~(2+)浓度时Si C晶圆的摩擦系数。对比不同压力和转速在CMP中对Si C的MRR和Ra的影响。结果随着Cu~(2+)浓度的增大,MRR先增大后减小,在Cu~(2+)体积浓度为300μmol/L时,MRR有最大值,为82 nm/h,此时,Ra为0.156 nm;相比之下,不加入Cu~(2+)-甘氨酸配合物的MRR为62 nm/h,Ra为0.280 nm。同时,随着Cu~(2+)浓度的增大,一方面,溶液中磨粒的Zeta电势绝对值不断减小,但高于不加入Cu~(2+)-甘氨酸配合物时的Zeta电势绝对值;另一方面,其平均粒径逐渐增大,但低于不加入Cu~(2+)-甘氨酸配合物时的平均粒径(104.0nm)。另外,随着Cu~(2+)浓度的增大,Si C晶圆的摩擦系数先增大后减小,在300μmol/L时达到最大,为0.6137。最后,随着压力的增大,MRR不断增加,但压力过大,使得Ra增大。随着抛光盘转速的增大,MRR先增大后减小,Ra无明显变化,在120 r/min时,MRR有最大值,为96 nm/h,Ra为0.161nm。结论 Cu~(2+)-甘氨酸配合物作为催化剂能够加快Si C化学机械抛光中的化学氧化速率,从而提高MRR,并且能够提高抛光液分散稳定性,改善Si C晶圆表面质量。另外,增大抛光压力可以增强机械磨削作用,提高MRR,但压力过大,会损伤晶片表面。抛光盘转速的增大也可以提高MRR,但其过大则会使抛光液外溅,降低化学作用,导致MRR降低。